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?Q3XG-1850R SMT 混合耦合器Electro-Photonics

發布時間：2023-12-05 16:51:51 瀏覽：838

Electro-Photonics的Q3XG-1850R耦合器具備SMT性能，對于建議的線路板布局進行全面優化調整。選用中小型封裝，具有低插入損耗和高功率性能。Q3XG-1850R混合耦合器主要用于窄帶和寬帶功率放大器應用領域。

Q3XG-1850R耦合器是非磁性的，適合用在MRI應用上使用。Dragon?耦合器在國外設計制造，滿足RoHS和REACH標準。

Q3XG-1850R標準表層處理是浸錫。能根據需要提供化學鍍鎳浸金(ENIG)。

特征

1500–2200MHz

低損耗

高隔離度

嚴苛的振幅平衡性

90度正交

表面貼裝技術

CTE適配

DCS、PCS、LTE頻率段

卷帶選擇

評估板722-0006-03-E01

規格

規格：0.560x0.350英寸

頻率：1500-2200MHz

額定功率：165瓦

插入損耗：0.10dB

幅度平衡性：±.2

隔離度：28dB

駐波比：1.15

相位平衡性：±2

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