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?CGHV96130F X波段功率放大器CREE

發布時間：2023-12-12 16:59:41     瀏覽：799

CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術相比，CGHV96130F內部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比，GaN具有更好的性能；包括更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。與GaAs晶體管相比，GaN HEMT還具有更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96130F使用金屬/陶瓷法蘭封裝可以實現最佳的電氣和熱穩定性。

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特征

166WPOUT（典型值）

7.5dB功率增益值

42%典型PAE

50Ω內部適配

<0.3dB功率下降

產品規格

描述：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；主要用于X波段雷達應用的輸入/輸出適配GaNHEMT

最小頻率(MHz)：8400

最大頻率(MHz)：9600

最高值輸出功率(W)：130

效率（％）：42

額定電壓(V)：40

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