?CMPA2735030 航空航天與國(guó)防GaN MMIC功率放大器
發(fā)布時(shí)間:2024-03-18 17:06:51 瀏覽:642
CREE的CMPA2735030是種根據(jù)氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具有更加優(yōu)異的性能;包括更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng);更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還提供了更高的功率密度和更寬的帶寬。CMPA2735030包括兩級(jí)電抗適配功率放大器設(shè)計(jì)思路,能夠?qū)崿F(xiàn)極其寬的帶寬。
特征
額定電壓高達(dá) 50 V
高擊穿場(chǎng)強(qiáng)
寬度為 5mm x 5mm;QFN 封裝
高溫度使用
應(yīng)用領(lǐng)域
民用型和軍工用脈沖雷達(dá)功率放大器
產(chǎn)品規(guī)格
描述:30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 功率放大器
最低頻率(MHz):2700
最高頻率(MHz):3500
最高值輸出功率(W):30
增益值(dB:)30.0
工作效率(%):45
額定電壓(V):50
形式:離散裸芯片
封裝類別:Die
技術(shù):GaN-on-SiC
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