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NPA1006是一款寬帶GaN功率放大器，針對20 - 1000 MHz工作進(jìn)行了優(yōu)化。該放大器設(shè)計(jì)用于飽和和線性工作，輸出電平為12.5 W（41 dBm），采用無鉛6 x 5 mm 8引腳PDFN塑料封裝。NPA1006非常適用于測試和測量，國防通信，陸地移動(dòng)無線電和無線基礎(chǔ)設(shè)施中的通用窄帶到寬帶應(yīng)用。

特征
 Si HEMT D模式放大器上的GaN
 無鉛6 x 5 mm 8引腳PDFN封裝
 100％射頻測試
 65％的排水效率@ 900 MHz
 14 dB增益@ 900 MHz
 28 V操作
 50 O輸入匹配，輸出不匹配
 寬帶操作范圍為20 - 1000 MHz
 適用于線性和飽和應(yīng)用
 無鹵“綠色”模具化合物
 符合RoHS *標(biāo)準(zhǔn)，兼容260°C回流焊

應(yīng)用
 國防通訊
 無線基礎(chǔ)設(shè)施

產(chǎn)品規(guī)格
電源電壓：28 V.
PSAT：12.5瓦
增益：14 dB
測試頻率：0.9 GHz
工作周期：900％
最大頻率：1,000 MHz
最小頻率：20 MHz

MACOM是全球唯一一家用于射頻應(yīng)用的GaN on Si技術(shù)供應(yīng)商。我們在Si RF功率晶體管產(chǎn)品上提供廣泛的連續(xù)波（CW）GaN，作為分立器件和模塊，設(shè)計(jì)工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，長脈沖雷達(dá)以及工業(yè)，科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用的理想選擇。我們的產(chǎn)品組合利用了MACOM超過60年的傳統(tǒng)，即使用GaN on Si技術(shù)提供標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的GaN on Silicon產(chǎn)品，采用分立晶體管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工藝，在功率，增益，增益平坦度，效率方面表現(xiàn)出優(yōu)異的RF性能，