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NPT2018無線基礎(chǔ)設(shè)施DC-3.5 GHz寬帶晶體管

發(fā)布時間：2018-09-19 17:28:28 瀏覽：1592

氮化鎵48V，12.5W，DC-3.5 GHz HEMT

NPT2018 GaN HEMT是一款針對DC-3.5 GHz工作優(yōu)化的寬帶晶體管。該器件設(shè)計用于連續(xù)波，脈沖和線性工作，輸出功率為12.5W（41 dBm），采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝塑料封裝。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	NPT2018	1周	90

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特征
適用于線性和飽和應(yīng)用
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)塑料包裝
48V操作
可從DC-6 GHz調(diào)諧
高漏極效率（> 60％）

應(yīng)用
航空航天與國防
航空電子學(xué)
國防通訊
主義
VHF / UHF / L / S波段雷達
無線基礎(chǔ)設(shè)施

產(chǎn)品規(guī)格
電源電壓：48 V.
PSAT：12.5瓦
增益：17.5 dB
測試頻率：2.5 GHz
Theta JC：6.5 C / W.
最大頻率：3,500 MHz
最小頻率：0 MHz

MACOM是全球唯一一家用于射頻應(yīng)用的GaN on Si技術(shù)供應(yīng)商。我們在Si RF功率晶體管產(chǎn)品上提供廣泛的連續(xù)波（CW）GaN，作為分立器件和模塊，設(shè)計工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，長脈沖雷達以及工業(yè)，科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用的理想選擇。我們的產(chǎn)品組合利用了MACOM超過60年的傳統(tǒng)，即使用GaN on Si技術(shù)提供標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的GaN on Silicon產(chǎn)品，采用分立晶體管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工藝，在功率，增益，增益平坦度，效率方面表現(xiàn)出優(yōu)異的RF性能，

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