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NPT2024國防L/S波段雷達寬帶晶體管DC - 2.7 GHz

發布時間：2018-09-20 15:31:50 瀏覽：1967

GaN寬帶晶體管50 V，200 W，DC - 2.7 GHz

NPT2024 GaN HEMT是一種寬帶晶體管，針對直流 - 2.7GHz工作進行了優化，采用推挽式配置。該器件支持CW，脈沖和線性工作，輸出功率為行業標準塑料封裝，功率為200 W（53 dBm）。NPT2024非常適用于國防通信，陸地移動無線電，航空電子設備，無線基礎設施，ISM應用和VHF / UHF / L / S波段雷達。采用SIGANTIC®工藝制造 - 一種專有的GaN-on-Silicon技術。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	NPT2024	1周	200

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特征
Si HEMT D模式晶體管上的GaN
100％射頻測試
68％的排水效率@ 900 MHz
22 dB增益@ 900 MHz
50 V操作
可調諧DC - 2.7 GHz
適用于線性和飽和應用
符合RoHS *標準，兼容260°C回流焊
標準塑料包裝，帶螺栓法蘭

應用
航空航天與國防
航空電子學
國防通訊
主義
VHF / UHF / L / S波段雷達
無線基礎設施

產品規格
電源電壓：50 V.
PSAT：200瓦
增益：20 dB
測試頻率：0.9 GHz
最大頻率：2,700 MHz
最小頻率：0 MHz

MACOM是全球唯一一家用于射頻應用的GaN on Si技術供應商。我們在Si RF功率晶體管產品上提供廣泛的連續波（CW）GaN，作為分立器件和模塊，設計工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設備，通信，網絡，長脈沖雷達以及工業，科學和醫療應用的理想選擇。我們的產品組合利用了MACOM超過60年的傳統，即使用GaN on Si技術提供標準和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的GaN on Silicon產品，采用分立晶體管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工藝，在功率，增益，增益平坦度，效率方面表現出優異的RF性能，

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