婷婷福利,久久久网,中文精品久久

<delect id="s2w2a"></delect>

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

發布時間：2018-11-05 15:17:07 瀏覽：1662

描述
AMCOM的AM010MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙系列的一部分。HIFET是部分匹配的專利設備配置，用于高電壓、高功率和寬帶應用。該器件的總器件外圍為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。BI系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲或直線的引線安裝方式。這個封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這個HiFET是符合RoHS標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM010MH2-BI-R	1周	100

如若您需要購買AM010MH2-BI-R，請點擊右側客服聯系我們?。。?span id="jzzfdxvfpvxr" class="font2">

特征
14伏排水拜厄斯
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達6 GHz的高頻操作
高增益：g= 15dB @ 3.5GHz
高功率：P1dB＝28 dBm @ 3.5GHz
高線性度：IP3＝43dBm @ 3.5GHz

用于有效散熱的陶瓷封裝

應用
寬帶應用
高電壓10～14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

91高清在线_色综合久_国产中的精品av涩差av_亚洲先锋影音_精品少妇一区二区三区日产乱码_久久中文字幕电影