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前幾天，北京大學公布了碳基芯片的最新技術成果，并刊登了《適用于高性能電子學的高密度半導體碳納米管平行列陣》的論文。

碳基芯片是款最新型技術工藝芯片，能夠 應用在產業基地上研發制造的相對密度更是高達120μm，其純凈度高達99.99%，直徑各是是1.45±0.23nm的碳納米管平行整列，碳基芯片建立完成了性能指標超過同等柵長的硅基CMOS技術工藝的晶體管和電源電路。并將該技術成果列入碳基半導體規?；I化奠定了基礎。

碳基芯片可適用于5G基站建設規劃，未來將與華為達成合作。

顯然，現階段晶圓生生產商的芯片生產都應用了硅基技術工藝，但通過摩爾定律的推算，集成電路芯片可容納的晶體管數量觸碰極限的實情已擺放在面前。而與硅同族的元素碳，則與硅有著相近的物理特性。與現階段主流的二維硅基芯片技術相比較，碳納米管技術工藝能夠 將芯片整體技能提升1000倍以上！

正因為這二十年來的苦心錘煉，才擁有現在來之不易的技術成果。據了解，2020年這項新技術成果，更加是在碳基半導體制取原材料上解決了純凈度、總面積和相對密度順排等長期性無法攻破的難點。而這項技術成果還可以直接與前端射頻器件生產商牽手合作。

2020-2025年是摩爾定律的“死亡期”。在我國將有希望把握住這一機遇，跨出一條全新的、甚至于更優質的半導體發展趨勢之路。也許等碳管逐漸批量生產之時，也就是國產芯片的出頭之日。

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