中芯國際N+1工藝已進入客戶導入階段,芯片國產代替再提速!
發布時間:2020-04-10 10:43:58 瀏覽:3071
先進工藝是中芯國際2020年開展重點,其中N+1工藝已經進入客戶導入及產品認證階段。
國產芯片競爭力逐漸上升,國產代替腳步進一步提速,在“新基建”風口下,芯片產業鏈開展迎來開展機會。
國產芯片絕地突圍 N+1工藝商業化提速
作為國內芯片代工龍頭企業,中芯國際連發利好消息,不只引進光刻機擴展芯片產能,在芯片工藝上也持續發力,N+1、N+2工藝更是大大提高芯片功能。
據了解,其N+1工藝已經進入為客戶導入階段,估計第四季度完成有限量產,商業化腳步進一步提高。根據中芯國際相關人士解說,N+1工藝的功耗和穩定性與市場上的7nm相比基本無異,其功能比14nm提高了約20%。并且N+1工藝打破芯片出產對荷蘭ASML最新EUV光刻機的依靠,大大提高國產芯片擴能的可能性,對突破芯片困局大有裨益。
并且,據證券時報最近報道,華為將把部分手機“麒麟”芯片轉到中芯國際代工,并使用中芯國際最新研制的N+1 制程工藝技能。中芯國際N+1工藝逐漸獲得業界信任,對于打破國外獨占有重要意義。
不得不說,國產芯片實力迸發,自主研制才能的提高,將會帶動芯片國產代替的提速開展。在5G時代下,芯片產業鏈迎來紅利迸發期。
新基建風口 5G芯片“火力全開”
日前,“新基建”建設進行的如火如荼,帶動5G芯片迎來開展紅利期。近日,工業和信息化部發布的《關于推進5G加快開展的通知》,提出全力推進5G網絡建設,充分發揮5G新型基礎設施的規劃效應和帶動效果。估計今年年底,將完成全國5G基站數超60萬個,這將會帶動中上游芯片需求增長,半導體產業回暖加快,國產芯片實力昂首。
除了芯片制造領域獲得提速開展之外,在芯片規劃環節,華為海思、紫光等都已經突破技能限制,尤其是華為海思已經把握7nm芯片規劃技能,躋身國際前列。紫光展銳也發布了旗下新一代5G SoC芯片虎賁T7520,選用6nm EUV制程工藝,發力5G全場景應用終端渠道。
值得一提的是,由中微半導體設備公司自主研制的5nm刻蝕機得到臺積電認可,加快國產芯片中心制造設備的商用化腳步,為國內高端芯片制造帶來新的曙光。
“新基建”風口下5G迎紅利迸發期,國產芯片產業鏈順勢崛起,商業化落地指日可下。伴隨著我國自主研制才能的不斷提高,中國芯將逐漸減少對國外芯片的依靠,搶跑5G,或許已經成為不可逆轉的現實。
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EEPROM芯片通常不內置ADC,若某款內置1路14bit ADC,其精度主要受分辨率(理論精度高但實際受量化誤差等多種因素影響)、采樣率(采樣率越高理論上精度越高,但過高可能影響轉換時間,且采樣帶寬限制會影響精度)、使用通道數(單通道ADC精度主要取決于單個通道性能,無通道切換誤差)以及其他因素(如參考電壓穩定性、溫度影響,參考電壓波動和溫度變化都會影響精度)影響 。
HMC576 是 Analog Devices 推出的高性能射頻芯片,應用于通訊基站、機載雷達等多個領域。其核心優勢是寬頻帶覆蓋(2GHz 至 20GHz)、低噪聲系數(典型值 2.5dB)和高線性度,能提升系統性能。它還具備寬頻帶設計、低噪聲增強、高集成度、工業級可靠性等特性。目前現貨供應,提供技術方案支持、靈活采購選項和質量保障,典型應用于 5G 基站、相控陣雷達和測試儀器。