重大突破，國(guó)產(chǎn)芯片布局將改變，未來(lái)將與華為攜手共創(chuàng)5G
發(fā)布時(shí)間：2020-05-28 13:58:45 瀏覽：2405
前幾天，北京大學(xué)公布了碳基芯片的最新技術(shù)成果，并刊登了《適用于高性能電子學(xué)的高密度半導(dǎo)體碳納米管平行列陣》的論文。
碳基芯片是款最新型技術(shù)工藝芯片，能夠 應(yīng)用在產(chǎn)業(yè)基地上研發(fā)制造的相對(duì)密度更是高達(dá)120μm，其純凈度高達(dá)99.99%，直徑各是是1.45±0.23nm的碳納米管平行整列，碳基芯片建立完成了性能指標(biāo)超過(guò)同等柵長(zhǎng)的硅基CMOS技術(shù)工藝的晶體管和電源電路。并將該技術(shù)成果列入碳基半導(dǎo)體規(guī)模化工業(yè)化奠定了基礎(chǔ)。
碳基芯片可適用于5G基站建設(shè)規(guī)劃，未來(lái)將與華為達(dá)成合作。
顯然，現(xiàn)階段晶圓生生產(chǎn)商的芯片生產(chǎn)都應(yīng)用了硅基技術(shù)工藝，但通過(guò)摩爾定律的推算，集成電路芯片可容納的晶體管數(shù)量觸碰極限的實(shí)情已擺放在面前。而與硅同族的元素碳，則與硅有著相近的物理特性。與現(xiàn)階段主流的二維硅基芯片技術(shù)相比較，碳納米管技術(shù)工藝能夠 將芯片整體技能提升1000倍以上！
正因?yàn)檫@二十年來(lái)的苦心錘煉，才擁有現(xiàn)在來(lái)之不易的技術(shù)成果。據(jù)了解，2020年這項(xiàng)新技術(shù)成果，更加是在碳基半導(dǎo)體制取原材料上解決了純凈度、總面積和相對(duì)密度順排等長(zhǎng)期性無(wú)法攻破的難點(diǎn)。而這項(xiàng)技術(shù)成果還可以直接與前端射頻器件生產(chǎn)商牽手合作。
2020-2025年是摩爾定律的“死亡期”。在我國(guó)將有希望把握住這一機(jī)遇，跨出一條全新的、甚至于更優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)之路。也許等碳管逐漸批量生產(chǎn)之時(shí)，也就是國(guó)產(chǎn)芯片的出頭之日。
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