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AMCOM射頻晶體管GaAs pHEMT

發布時間：2020-10-16 16:28:42 瀏覽：1972

近年來，隨著半導體技術的飛速發展，GaAs pHEMT工藝的單片微波集成電路已成為微波領域的一個熱門研究課題，在衛星通信、雷達系統、測試系統和導航系統中，低噪聲放大器是必不可少的組成部分，低噪聲放大器的噪聲性能、增益和線性度直接影響接收機的性能，AMCOM射頻晶體管GaAs pHEMT結構的邏輯串并聯轉換電路集成到T/R模塊中，可以減小整個T/R模塊的尺寸，提高其易用性和經濟性。

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Model	Freq (GHz)	Fmax (GHz)	Gain (dB)	P1dB (dBm)	IP3 (dBm)	Bias (V)	Package	ECCN
AM090WX-CU-R	DC	6	12	37	45	-11.42857143	Flange	EAR99
AM120WX-CU-R	DC	6	11.5	38	46	-11.42857143	Flange	EAR99
AM030WH4-BI-R	DC	6	21	37	37	-40	SMT	EAR99
AM030WX-BI-R	DC	10	14	33	34	-11.42857143	SMT	EAR99
AM060WX-BI-R	DC	10	13.5	35.5	36.5	-11.42857143	SMT	EAR99
AM005WX-BI-R	DC	12	17	24.5	25.5	-11.42857143	SMT	EAR99
AM010WX-BI-R	DC	12	16	28.5	30	-11.42857143	SMT	EAR99
AM005WH2-BI-R	DC	12	20	26	27	-20	SMT	EAR99
AM010WH2-BI-R	DC	12	18	30	31	-20	SMT	EAR99
AM020WH2-BI-R	DC	12	18	33	34	-20	SMT	EAR99
AM030WH2-BI-R	DC	12	18	34.5	36	-20	SMT	EAR99
AM060WH2-CU-R	DC	12	17	38	38.5	-20	Flange	EAR99
AM120WH2-CU-R	DC	12	16	39	39.5	-20	Flange	EAR99

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