EV12AS350B數(shù)模轉(zhuǎn)換器E2V品牌
發(fā)布時(shí)間:2020-10-20 15:19:50 瀏覽:2053
EV12AS350B數(shù)字模數(shù)轉(zhuǎn)換器由四個(gè)完全相同的12位ADC核組成,所有四個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器互相交錯(cuò)。所有四個(gè)EV12AS350B數(shù)模轉(zhuǎn)換器都由相同的外部輸入時(shí)鐘信號控制,從而延遲了相應(yīng)的相位。時(shí)鐘電路由所有四個(gè)EV12AS350B數(shù)模轉(zhuǎn)換器共享。該模塊接收一個(gè)外部5.4ghz時(shí)鐘和一個(gè)優(yōu)選的低抖動(dòng)正弦波信號。在這個(gè)模塊中,外部時(shí)鐘信號被除以4以產(chǎn)生內(nèi)部采樣時(shí)鐘:
將同相1.35GHz時(shí)鐘發(fā)送給ADCA,反向1.35GHz時(shí)鐘發(fā)送給ADCB,在相1.35GHz時(shí)鐘延遲90°以產(chǎn)生ADCCC時(shí)鐘,反向1.35GHz時(shí)鐘延遲90°產(chǎn)生ADCD的時(shí)鐘,從而形成具有5.4gsps等效采樣頻率的交錯(cuò)模式。
EV12AS350B數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的主要特點(diǎn)
單通道ADC,12位分辨率,采用四個(gè)隔行核實(shí)現(xiàn)5.4Gsps轉(zhuǎn)換
單5.4GHz差分對稱輸入時(shí)鐘
耦合交流輸入
ADC主復(fù)位
兩種轉(zhuǎn)換模式
-4個(gè)隔行輸出數(shù)據(jù)的交錯(cuò)核心
通過同時(shí)對4個(gè)核進(jìn)行采樣,將相同的輸入信號與對齊輸出進(jìn)行轉(zhuǎn)換。
LVDS輸出格式
具有復(fù)位信號的數(shù)字接口:
待機(jī)模式
選擇數(shù)據(jù)輸出擺動(dòng)
測試模式
-芯片配置
電源:單電源4.8V,3.2V和2.0V
由于BiCMOS硅技術(shù),功率引腳上的時(shí)鐘感應(yīng)瞬變減少了。
功耗:6.7W
EBGA 380封裝31x31mm
EV12AS350B數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用
高速數(shù)據(jù)采集
直接射頻下變頻
超寬帶衛(wèi)星數(shù)字接收機(jī)
16 Gbps鉑鉑微波接收機(jī)
高能物理
自動(dòng)測試設(shè)備
高速測試儀
激光雷達(dá)(光探測和測距)
軟件設(shè)計(jì)無線電
深圳立維創(chuàng)展科技是E2V的經(jīng)銷商,主要供給E2V數(shù)模轉(zhuǎn)換器和半導(dǎo)體,E2V的應(yīng)用領(lǐng)域包括通信、自動(dòng)化、發(fā)現(xiàn)、醫(yī)療、環(huán)保等。價(jià)格優(yōu)勢,歡迎咨詢。
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EEPROM芯片通常不內(nèi)置ADC,若某款內(nèi)置1路14bit ADC,其精度主要受分辨率(理論精度高但實(shí)際受量化誤差等多種因素影響)、采樣率(采樣率越高理論上精度越高,但過高可能影響轉(zhuǎn)換時(shí)間,且采樣帶寬限制會(huì)影響精度)、使用通道數(shù)(單通道ADC精度主要取決于單個(gè)通道性能,無通道切換誤差)以及其他因素(如參考電壓穩(wěn)定性、溫度影響,參考電壓波動(dòng)和溫度變化都會(huì)影響精度)影響 。
HMC576 是 Analog Devices 推出的高性能射頻芯片,應(yīng)用于通訊基站、機(jī)載雷達(dá)等多個(gè)領(lǐng)域。其核心優(yōu)勢是寬頻帶覆蓋(2GHz 至 20GHz)、低噪聲系數(shù)(典型值 2.5dB)和高線性度,能提升系統(tǒng)性能。它還具備寬頻帶設(shè)計(jì)、低噪聲增強(qiáng)、高集成度、工業(yè)級可靠性等特性。目前現(xiàn)貨供應(yīng),提供技術(shù)方案支持、靈活采購選項(xiàng)和質(zhì)量保障,典型應(yīng)用于 5G 基站、相控陣?yán)走_(dá)和測試儀器。