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UMS微波CHK5010-99F功率晶體管GaN HEMT

發布時間：2024-04-12 08:50:46 瀏覽：869

UMS微波CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造，確保了優異的性能和可靠性。

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晶體管以裸晶片形式提供，需要外部匹配電路才能充分發揮其潛力。然而，正是這種設計特點賦予了CHK5010-99F豐富的功能和廣泛的應用潛力。

主要特點包括其出色的寬帶能力，支持高達12 GHz的脈沖和連續波操作。基于GaN技術，該設計可實現高輸出和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時實現最佳性能。此外，該芯片具有0.90x0.80x0.1mm的緊湊尺寸，即使在受限的空間中也可以輕松集成。

除了其卓越的性能，CHK5010-99F還符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006標準，確保環保和安全。這讓用戶在選擇和使用產品時安心，而不必擔心對環境的不利影響。

總之，CHK5010-99F是一款值得信賴的高性能GaN晶體管，具有廣泛的應用和出色的功能。其令人印象深刻的性能和符合行業標準使其成為射頻功率應用的可靠選擇，為該領域開辟了新的可能性。

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