使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強
發布時間:2018-09-06 15:19:40 瀏覽:1861
GaN HEMT具有高輸出功率密度和寬帶寬下的高效率。但是GaN HEMT的線性度通常比GaAs器件的線性度差。本文提出了一種簡單的方法來改善GaN HEMT的線性度。所提出的方法是將器件分成與獨立控制的柵極偏置電壓并聯的多個子單元,然后對子單元輸出進行功率組合。
更多的詳情請聯系我們!
推薦資訊
深圳市立維創展科技有限公司,是美國THUNDERLINE-Z & Fusite品牌在中國的授權渠道商,其金屬玻璃密封端子,已廣泛應用于航天、軍事、通信等高可靠性領域。
T0727J5012AHF是低成本、低剖面亞微型阻抗變壓器,采用2.0mm×1.25mm表面貼裝0805封裝,高度僅0.84mm,適用于700MHz-2.7GHz頻段實現50Ω至12.5Ω轉換