AM020MH2-BI-R HiFET高壓GaAs場效應管AMCOM
發布時間：2024-09-20 08:56:24 瀏覽：661
AMCOM的AM020MH2-A-BI-R是其BI系列GaAs
HiFET的一部分。這款HiFET是一種部分匹配的專利設計，適用于高電壓、高功率和寬帶應用。此組件具有4毫米的總設備周長。AM020MH2-BI-R專為高功率微波應用設計，頻率范圍最高可達6GHz。
BI系列采用特別設計的陶瓷封裝，具有直引腳安裝風格。封裝底部的法蘭同時作為DC接地、RF接地和散熱路徑。還有一種彎曲引腳版本適用于表面貼裝技術(SMT)應用。
特點
- 寬帶部分匹配：DC至2.4GHz
- 高頻操作：可達6GHz
- 高增益：在3.5GHz時增益15dB
- 高功率：在3.5GHz時P1dB為31dBm
- 高線性度：在3.5GHz時IP3為46dBm
- 底部接地有效散熱
應用
- 寬帶應用
- 高電壓10V至14V
- 無線局域網
- PCS基站
- WLAN、中繼器和HIPERLAN
- 雷達和航空通信
參數：
| Bias at 14V/270mA (S2P file downloadable from the Web) |
Freq
(MHz) | MAG(S11) | ANG(S11) | MAG(S21) | ANG(S21) | MAG(S12) | ANG(S12) | MAG(S22) | ANG(S22) |
| 200 | 0.621 | -18.621 | 8.642 | 167.68 | 0.045 | 13.795 | 0.405 | 4.177 |
| 500 | 0.631 | -43.6 | 8.277 | 149.531 | 0.036 | -25.302 | 0.509 | -3.917 |
| 1000 | 0.64 | -80.941 | 7.365 | 121.484 | 0.028 | -26.833 | 0.578 | -25.813 |
| 1500 | 0.679 | -107.195 | 6.336 | 98.301 | 0.025 | -25.939 | 0.601 | -44.057 |
| 2000 | 0.683 | -130.367 | 5.444 | 76.973 | 0.024 | -29.102 | 0.615 | 60.441 |
| 3000 | 0.687 | -167.484 | 4.115 | 39.754 | 0.02 | -40.691 | 0.647 | 88.875 |
| 4000 | 0.677 | 163.773 | 3.294 | 7.847 | 0.014 | -56.361 | 0.692 | -112.52 |
| 5000 | 0.641 | 137.336 | 2.805 | -21.489 | 0.003 | -153.734 | 0.706 | -129.172 |
| 6000 | 0.599 | 105.863 | 2.726 | -51.602 | 0.023 | 43.555 | 0.79 | 146.367 |
| 7000 | 0.541 | 58.244 | 2.604 | -87.004 | 0.037 | 7.578 | 0.817 | -166.602 |
| 8000 | 0.571 | 0.882 | 2.359 | 125.16 | 0.047 | -25.074 | 0.839 | 172.109 |
| 9000 | 0.687 | -45.787 | 2 | -162.023 | 0.057 | -52.545 | 0.83 | 150.031 |
| 10000 | 0.808 | -78.57 | 1.688 | 163.75 | 0.069 | 80.164 | 0.799 | 126.715 |
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