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?GTRA262802FC高功率RF GaN放大器CREE

發(fā)布時間：2024-10-31 17:18:10 瀏覽：507

GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高功率RF GaN放大器，應用于多標準蜂窩狀功率放大器技術應用。GTRA262802FC具備輸入適配、高效率和無軸環(huán)熱增強封裝的特性。

規(guī)格參數(shù)

闡述：SiC HEMT的高功率RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

最低頻率（MHz）：2490

最高頻率（MHz）：2690

P3dB輸出功率（W）：250

增益值（dB）：14

效率（%）：54

額定電壓（V）：48

封裝類型：Earless

封裝：封裝分立晶體管

技術應用：SiC的GaN

特征

?GaN-on-SiC HEMT技術應用

?輸入適配

?典型的脈沖CW性能，2605 MHz，48 V，組合輸出，16μs脈沖寬度，10%pwm占空比

-P3dB=250W時的輸出功率

-效率=62%

-增益值=14.4 dB

?同時在48 V、38 W（CW）輸出功率下操作10:1 VSWR

?模特模型1A級（根據(jù)ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低熱阻

?無鉛并滿足RoHS標準

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