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?CMPA0060002D射頻放大器CREE

發布時間：2024-12-02 17:14:36     瀏覽：549

CMPA0060002D是一種帶有氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能，包含更高的擊穿場強、更高的飽和電子漂移速度與更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。CMPA0060002D使用分布式（導波）放大器設計思路，能夠在更小的占用面積內實現極寬的帶寬。

CMPA0060002D.png

特征

?17 dB小信號增益值

?2 W典型PSAT

?額定電壓高達28V

?高擊穿場強

?高溫度使用

?尺寸0.169 x 0.066 x 0.004英寸

應用

?超寬帶放大器

?光纖線驅動器

?測試設備

?EMC放大器驅動器

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