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900 V分立碳化硅MOSFET CREE

發布時間：2024-12-17 11:21:28 瀏覽：581

CREE擴展了其在碳化硅（SiC）技術中的主導地位，低電感分立封裝具備寬沿面和漏極與源極之間的空隙距離（~8mm）。900 V分立碳化硅MOSFET靈活運用最新的MOSFET芯片高頻性能，并且提供應用于高污染環境的超額電氣隔離。獨立的開爾文源管腳減少了功率電感；從而開關損耗減少了30%。設計師可以借助從硅基轉向硅基來降低器件數量；通過增加開關性能，可以通過三電平拓撲轉換成更高效的兩電平拓撲。

特征

在整體工作溫度范圍內，最低電壓是900V Vbr

帶驅動源的低阻抗封裝

高阻斷電壓，低RDS（開啟）

低反向恢復（Qrr）的高效本征二極管

有利于并聯，使用簡單

優勢

通過減少開關和傳遞損耗提升系統效率

實現高開關頻率操控

提高系統級功率密度

降低系統規模；凈重；和冷卻需求

啟動新的硬開關拓撲（Totem Pole PFC）

典型應用

電機控制系統

新能源充電樁系統

應急電源（UPS）

電池測試系統

新能源電動車極速充電系統

車載充電器

傳動裝置

焊接工藝

深圳市立維創展科技有限公司授權經銷CREE微波器件，如若需要購CREE產品，請點擊右側客服聯系我們！！！

Product SKU	Blocking Voltage	RDS(ON) at 25°C	Current Rating	Tjmax	Package
C3M0065090D	900 V	65 mΩ	36 A	150 °C	TO-247-3
C3M0120090D	900 V	120 mΩ	23 A	150 °C	TO-247-3
C3M0280090D	900 V	280 mΩ	11.5 A	150 °C	TO-247-3
C3M0030090K	900 V	30 mΩ	63 A	150 °C	TO-247-4
C3M0065090J	900 V	65 mΩ	35 A	150 °C	TO-263-7
C3M0120090J	900 V	120 mΩ	22 A	150 °C	TO-263-7
C3M0280090J	900 V	280 mΩ	11.5 A	150 °C	TO-263-7

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