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CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該產(chǎn)品為雷達和電信等各種RF電源應用提供通用和寬帶解決方案。

它是基于SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技術開發(fā)的，并且特別符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006指令的規(guī)定。

它以裸芯片形式提出，并且需要外部匹配電路。